2024-12
耐材之窗耐火原料指數(shù)
綜合指數(shù)
  • 綜合指數(shù):203.62
  • 上月:202.42
  • 環(huán)比: +0.59%
  • 去年同期:190.94
  • 同比: +6.64%
產(chǎn)品指數(shù)
  • 鋁礬土:175.00 上月:175.00 環(huán)比: 0.00% 去年同期:159.00 同比: +12.00%
  • 碳化硅:98.00 上月:98.00 環(huán)比: 0.00% 去年同期:107.00 同比: -35.00%
  • 鱗片石墨:103.00 上月:103.00 環(huán)比: 0.00% 去年同期:123.00 同比: -43.00%
  • 燒結(jié)鎂砂:208.00 上月:208.00 環(huán)比: 0.00% 去年同期:204.00 同比: -9.00%
  • 普通電熔鎂砂:138.00 上月:138.00 環(huán)比: 0.00% 去年同期:129.00 同比: 0.00%
  • 棕剛玉:140.00 上月:140.00 環(huán)比: 0.00% 去年同期:127.00 同比: +5.00%
  • 白剛玉:145.00 上月:145.00 環(huán)比: 0.00% 去年同期:95.00 同比: +53.00%
  • 棕剛玉:140.00 上月:140.00 環(huán)比: 0.00% 去年同期:127.00 同比: +5.00%
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SOI--新一代硅基材料

發(fā)布時間:2003-10-15
SOI--新一代硅基材料 SOI(Sikicon On Insukator)--絕緣層上的硅,是指將一薄層硅置于絕緣襯底上,被國際上公認為是21世紀的微電子技術(shù)之一和新一代硅基材料。集成電路發(fā)展到目前的超大規(guī)模時代,要進一步提高芯片的集成度和運行速度,現(xiàn)有的體硅材料及工藝正接近它們的物理極限,在進一步減小集成電路的特征尺寸小于0.1微米方面遇到了嚴峻的挑戰(zhàn)。SOI技術(shù)正是能突破硅材料與硅集成電路限制的新技...

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